近年來SiC MOSFET憑借著耐壓等級高、耐溫高以及損耗低等特點被廣泛應用于電機驅動、開關電源以及并網逆變器中。因此，國內外有許多學者致力于研究SiC MOSFET的驅動以及短路保護。

在驅動方面，有學者研究了SiC MOSFET的高頻驅動，實現了開關頻率MHz以上的突破。由于開關頻率的提高，驅動損耗也成了驅動電路設計中的重點，為了減小驅動損耗，有學者提出了SiC MOSFET諧振門極驅動電路，利用LC諧振來回收儲存在門極的功率。有學者著重研究SiC MOSFET高溫驅動電路，實現了高溫下SiC MOSFET的穩定驅動。

相對于SiC MOSFET的驅動技術，國內外學者在短路保護方面的研究相對較少。為了保證SiC MOSFET穩定可靠地運行，設計出性能優良的短路保護電路十分重要。與傳統的硅IGBT和硅MOSFET相比，SiC MOSFET短路保護要求更為嚴格。硅IGBT的短路承受時間大約為10μs，而SiC MOSFET的短路承受時間為2～7μs，并且隨著母線電壓和溫度的升高，SiC MOSFET短路承受時間也會下降。

有學者研究了不同線路寄生電感對SiC MOSFET短路電流的影響，結果表明隨著雜散電感的增大，電路的短路電流會下降。有學者研究了不同溫度和不同電壓等級下SiC MOSFET短路能力，實驗發現在高壓與高溫下SiC MOSFET短路承受能力降低。同時，有學者也研究了Rohm和Cree兩家公司的SiC MOSFET短路特性，并且進行了對比分析。

針對SiC MOSFET短路保護，有學者給出了短路檢測與保護方案，實現了短路故障下的快速保護。雖然許多文獻都給出了相應的保護方案，但是這些保護方案之間都存在著一定的聯系與區別，因此有必要對SiC MOSFET短路保護進行總結。

本文從SiC MOSFET的短路類型出發，首先分析SiC MOSFET兩種短路類型（硬開關故障和負載短路故障），并且介紹這兩種短路類型下電壓與電流特征。然后，對近年來SiC MOSFET短路保護研究文獻進行分析討論，根據檢測方式的不同，將短路檢測分為四類：去飽和檢測法、電感檢測法、門極電壓檢測法和基于羅氏線圈的短路檢測法。

同時本文也對短路故障下開關管的關斷方式進行介紹，詳細分析軟關斷的基本原理及必要性。最后本文在前人的基礎上提出一種降柵壓短路保護電路，并且通過Pspice仿真軟件以及實驗驗證了方案的可行性。

圖1 短路測試電路原理

圖14 短路狀態下的軟關斷電路原理

圖18 短路測試硬件平臺

結論

SiC MOSFET短路保護是SiC MOSFET驅動電路中重要的環節，決定了器件能否穩定可靠的運行。本文概述了SiC MOSFET的兩種短路類型，并且給出了兩種短路類型下VGS、VDS和ID的主要波形。

基于近年來一些文獻對于SiC MOSFET短路保護的研究，并根據短路檢測過程以及電路結構差異將SiC MOSFET短路檢測歸結為四類：去飽和檢測法、電感檢測法、門極電壓檢測法及基于羅氏線圈的短路檢測法。

本文總結了SiC MOSFET短路情況下的關斷方式，介紹了軟關斷的基本原理，并且提出了一種降柵壓SiC MOSFET短路保護方案，通過仿真和實驗驗證了方案的可行性。