團隊介紹
律方成,教授,博士生導師,華北電力大學副校長,河北省輸變電設備安全防御重點實驗室主任,全國特高壓交流輸電標準化技術委員會委員,國家級模范教師。主要從事電氣設備在線監測與智能診斷、電工絕緣材料、高靈敏傳感器、SF6替代氣體等方面研究。獲省部級科技進步一等獎3項,二等獎2項。發表學術論文200余篇,其中被SCI/EI檢索收錄100余篇,出版專著1部。
詹振宇,博士研究生,主要從事電氣設備在線監測、電工絕緣材料、SF6環保替代氣體等方面研究。
本文采用低溫等離子體的方法氟化處理環氧樹脂樣片,改變氟化處理的時間,測試比較了改性前后樣片的表面微觀形貌及化學組分,分析改性后樣片在C4F7N/CO2混合氣體中的絕緣性能,解釋了氟化處理對閃絡電壓的影響關系,為未來環保GIL中環氧樹脂絕緣件的等離子體改性處理提供了參考。
絕緣子作為GIL中的重要組成部件,其在電場作用下會出現表面電荷積聚的現象。長期運行中,絕緣子表面積聚的電荷會造成周圍電場畸變,引發局部放電甚至造成絕緣子發生沿面閃絡,嚴重威脅GIL的穩定運行。國內外的廠家、研究機構通過采用表面浸漬涂敷、化學改性、離子注入等方式提升環氧樹脂的表面的電導率,減少材料表面電荷積聚,從而提升絕緣子沿面閃絡電壓。
低溫等離子體作為一種新興的表面處理技術,廣泛應用于工業生產、生物醫學研究等領域中。結合等離子體高效、可控等優點,可將電負性的氟元素引入形貌較為復雜的絕緣子表面,避免了傳統的氣體表面改性可能帶來的毒性等弊端,同時提升絕緣子電氣性能。
隨著低GWP指數的C4F7N環保氣體在GIL中的應用,研究等離子體氟化改性對環氧樹脂的絕緣性能的影響,確定合適的改性處理參數,可為未來工程中絕緣子的優化設計及表面處理提供一定的參考。
等離子體改性處理平臺示意圖如圖1所示,處理平臺包括電路部分和氣路部分。電路部分包括高頻電源、DBD反應釜和示波器,電源輸出電壓中心頻率為50kHz。氣路部分主要由Ar與CF4氣體作為等離子體反應氣體,兩路氣體通過質量流量控制器控制流速,控制Ar流速為2.5slm,CF4流速為0.25slm,氣體混合后一起通入反應釜中。
圖1 等離子體改性處理平臺
將清洗、干燥后的樣片置于反應釜中,將電源輸出電壓幅值升至6 kV,調整電源頻率使反應釜中出現較多的絲狀放電。控制反應處理時間分別為5min、10min、15min,設置一組空白未處理樣片,分別記為F0、F5、F10、F15。通過AFM測試改性前后樣片的表面粗糙度如表1所示,SEM測試結果如圖2所示。
表1 改性前后樣片表面粗糙度
圖2 改性前后樣片SEM測試結果
隨著處理時間的增加,樣片的基體受到等離子體的不斷撞擊蝕刻,樣片表層基體被剝離,基體內氧化鋁填料逐漸暴露出來,暴露出的填料粒徑也逐漸增大,從而導致表面起伏加大,粗糙度有所增加。處理時間增加至15min,表面不斷有氧化鋁填料暴露出來,同時氧化鋁填料受到高能等離子體撞擊與本身填料粒徑的限制,表面暴露出的填料尺寸并未進一步增大,隨著暴露出的填料顆粒增多,粗糙度反而有所降低。
改性前后樣片表面部分原子占比如表2所示,改性后樣片中F原子占比明顯增多,對F10樣片XPS測試中C原子進行分峰處理,結果如圖3所示,采用等離子體處理的方法可有效將C-F鍵引入聚合物中。
表2 改性前后樣片原子占比
圖3 F10樣片C元素分峰
根據樣片充電后表面電荷消散特性計算樣片表面陷阱分布。采用指尖電極的形式,測試改性后樣片的在20%C4F7N/ 80%CO2混合氣體中直流與交流下的沿面閃絡特性,結果如圖4所示。
氟化改性后在直流與交流下樣片的閃絡特性均有提升,均在處理10 min閃絡電壓達到最大值。F0樣片正極性閃絡電壓平均值為29.57 kV,負極性閃絡電壓平均值為-25.99 kV,處理后F10樣片正極性閃絡電壓平均值為44.99 kV,負極性閃絡電壓平均值為-46.25 kV,分別提升52%與78%。交流下樣片閃絡電壓從F0的20.44 kV提升到F10樣片23.65 kV,提升16%。
圖4a 樣片沿面直流下閃絡特性
圖4 b 樣片沿面交流下閃絡特性
等離子體改性可將電負性氟元素引入聚合物中,控制適當處理時間可有效提升環氧樹脂電氣性能:
詹振宇, 阮浩鷗, 律方成, 劉偉, 李志兵, 謝慶. 等離子體氟化改性環氧樹脂及其在C4F7N/CO2混合氣體中電氣性能研究[J]. 電工技術學報, 2020, 35(8): 1787-1798. Zhan Zhenyu, Ruan Haoou, Lü Fangcheng, Liu Wei, Li Zhibing, Xie Qing. Plasma Fluorinated Epoxy Resin and Its Insulation Properties in C4F7N/CO2 Mixed Gas. Transactions of China Electrotechnical Society, 2020, 35(8): 1787-1798.