近年來,能源危機不斷加劇,太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、微電網(wǎng)以及新能源電動汽車等技術得到越來越多的關注。逆變器作為新能源并網(wǎng)發(fā)電的重要能量轉換裝置,其系統(tǒng)性能的優(yōu)化與控制一直是人們研究的熱點。
隨著半導體材料的開發(fā)和發(fā)展,應用于逆變器的電力開關管的開關頻率可以達數(shù)十kHz乃至數(shù)百kHz, 如基于SiC和GaN的寬禁帶半導體功率器件。這些高頻開關器件可以大幅度提高逆變器工作時的開關頻率,減小無源諧波濾波器的體積和重量。但與此同時,電磁干擾(Electromagnetic Interference, EMI)問題也變得越來越突出。逆變器系統(tǒng)中的電磁干擾主要是以干擾電流的方式流通于系統(tǒng)中,干擾電流存在的形式分為共模(Common Mode, CM)和差模(Differential Mode,DM)兩種。
圖1所示為單相逆變器的拓撲結構,逆變器開關管在快速開通與關斷的過程中產(chǎn)生的電壓突變與對地寄生電容發(fā)生耦合,產(chǎn)生高頻干擾電流,這些干擾電流通過地線、被干擾設備以及相線構成共模干擾回路。共模干擾是逆變系統(tǒng)中的主要干擾,另一方面,由控制脈沖電壓產(chǎn)生的差模干擾則是在相線之間構成回路。差模干擾對應的頻段相對較低,比較容易解決。
圖1 SiC MOSFET 單相逆變器結構
近年來,學者們對逆變器系統(tǒng)中電磁干擾問題提出了不同的解決方案。
本文以SiC單相電壓源型逆變器(Voltage Source Inverter, VSI)為例,分別對逆變器系統(tǒng)的共模和差模干擾路徑做了建模,通過分析和推導得到插入共模電感和差模電容前后電磁干擾之間的關系式,進而通過單電感和單電容法分別對共模和差模噪聲源阻抗的等效值進行了檢測和計算,并通過阻抗分析儀得到了檢測元件的精確阻抗曲線,使用此方法得到的噪聲源阻抗值更加準確。
接著以單級EMI濾波器為設計對象,根據(jù)所得到的噪聲源阻抗數(shù)據(jù)和EMI衰減需求量進行濾波器的阻抗需求分析,進而進行EMI濾波器的設計。
最后在仿真和實驗中將本文所提出的方法與傳統(tǒng)的方法進行了對比,實驗結果驗證了考慮噪聲源阻抗進行EMI濾波器設計方法的有效性。
圖16 高效濾波器實物
本文以SiC MOSFET單相逆變器的EMI抑制為基礎提出了一種基于噪聲源阻抗提取的EMI濾波器設計方法。分別建立共模和差模噪聲源阻抗與濾波器相應參數(shù)之間的關系作為噪聲源阻抗提取的理論依據(jù)。通過單電感-單電容測試實驗對共模和差模噪聲源阻抗的頻率作了分析和計算。根據(jù)提取的噪聲源阻抗的數(shù)據(jù)和共、差模濾波器的精確等效模型對EMI濾波器的阻抗需求進行了分析,并以此進行EMI濾波器的設計。
本文還通過高頻阻抗分析儀對濾波器進行了阻抗特性分析,以保證設計的有效性。通過仿真和實驗對本文提出的高效濾波器設計方法和傳統(tǒng)的方法做了對比分析,測試結果驗證了這種方法的有效性。