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絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）主要應用于逆變器、變頻器、不間斷電源（Uninterruptible Power Supply, UPS）、電源、風力發(fā)電設備等工業(yè)控制領(lǐng)域。近年來，隨著高鐵、電動汽車、風力發(fā)電機等電力設備的迅速發(fā)展，高功率密度及大量的電子集成技術(shù)對其可靠性都提出了更高的要求。

光伏發(fā)電是未來發(fā)展中最有潛力的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導體器件，因此其可靠性對光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導體模塊的整體性能有著重要的影響。

河北工業(yè)大學省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點實驗室的研究人員，針對現(xiàn)階段仍存在的問題，對于不同功率循環(huán)下的IGBT的熱退化特性進行了研究。設計了動態(tài)實驗，對不同的工作模式下IGBT模塊的退化進行了研究，并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性。

圖1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu)

圖2 模塊及老化設備

研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進行老化實驗時，在相同的老化時間下觀察模塊的熱阻變化情況，通過對熱網(wǎng)絡模型和結(jié)構(gòu)函數(shù)分析進行模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的缺陷辨識和失效機理分析，并利用仿真的方式對于不同邊界條件的動態(tài)熱傳導過程進行有限元仿真，更直觀地觀察到模塊的熱傳導的過程，同時驗證了實驗方法的準確性。

他們發(fā)現(xiàn)在溫度波動較大的情況下，IGBT模塊的致命損傷往往發(fā)生在各層連接處，由于各層材料的熱膨脹系數(shù)的差別，使得焊料層分層嚴重，導致熱阻增加，進一步引起熱量的大量累積，鍵合引線的損傷嚴重。而開關(guān)頻率增加以后，模塊的熱阻變化速度要遠遠低于溫度循環(huán)，雖然模塊的開關(guān)頻率較溫度循環(huán)增加了近百倍，但是模塊的壽命并沒有減少，說明開關(guān)頻率對于IGBT模塊芯片的沖擊造成的影響要遠遠小于溫度對于模塊壽命的影響。

在后續(xù)的工作中，可以在實際工作過程中通過測量模塊的殼溫及功率，得到實時工作過程中的結(jié)溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時反饋到系統(tǒng)中，從而增加IGBT模塊的壽命預測精度。

以上研究成果發(fā)表在2019年《電工技術(shù)學報》增刊2，論文標題為“不同工作模式下的IGBT模塊瞬態(tài)熱特性退化分析”，作者為劉向向、李志剛、姚芳。