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2021年4月3日，中國電工技術(shù)學(xué)會在北京召開“中國電工技術(shù)學(xué)會青工委電機電力電子學(xué)組成立大會暨第12期青年沙龍”。清華大學(xué)電機系姬世奇助理教授在會議上做了題為“碳化硅功率半導(dǎo)體在中壓配電網(wǎng)中的應(yīng)用”的報告，現(xiàn)將報告分享給大家，請各位讀者品讀。

清華大學(xué)電機系 姬世奇 助理教授

與硅器件相比，碳化硅器件在電壓等級、器件損耗、開關(guān)頻率等方面更有器件特性方面的優(yōu)勢。在配電網(wǎng)應(yīng)用中，使用碳化硅功率半導(dǎo)體，可以帶來變換器層面（體積、重量、效率等）和電網(wǎng)應(yīng)用層面（系統(tǒng)穩(wěn)定性等）的優(yōu)勢。

碳化硅器件的高開關(guān)速度會帶來電磁干擾、短時間尺度參數(shù)、絕緣、保護(hù)等方面的挑戰(zhàn)。碳化硅的應(yīng)用技術(shù)（子元件層面、變換器層面、電網(wǎng)層面）近些年得到快速發(fā)展，可以有效支撐碳化硅在配電網(wǎng)中的應(yīng)用。