碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），具有擊穿場強高、開關損耗小、耐溫耐候特性強等優點，具有逐步取代傳統硅基功率半導體的發展趨勢。高壓電力電子模塊發展的核心是研發具有更高性能的高壓功率半導體及與之匹配的可靠封裝。

使用寬禁帶功率半導體能進一步提升高壓功率模塊的變換效率、功率密度和可靠性。受封裝技術研發的限制，目前高壓電力電子模塊參數遠未達到寬禁帶半導體材料的極限參數。研究與寬禁帶功率半導體匹配的封裝技術是高壓電力電子模塊發展的重點方向之一。

團隊研發的空間電荷與電流聯合測試技術，通過上海計量測試中心的檢測，中國電工技術學會鑒定為國際先進，部分參數國際領先。