頭條華中科技大學梁琳研究員:高壓大容量特種功率半導體器件研究進展2022-01-07 作者:梁琳 | 來源:《電氣技術》雜志社 | 點擊率:
導語梁琳,華中科技大學電氣與電子工程學院研究員,博士生導師,電力安全與高效利用教育部工程研究中心副主任。IEEE高級會員,中達青年學者獎獲得者,2021中國電源領域“最美科技工作者”入選者,國際一流期刊IEEE JESTPE副編輯。曾赴美國北卡州立大學FREEDM Systems Center任訪問教授。研究領域為功率半導體器件、封裝、可靠性及其應用。發表SCI/EI/CSCD收錄論文70余篇;合作出版專著2部;獲授權國家發明專利17項,其中轉讓3項;主持國家自然科學基金面上項目2項、國防基礎科研計劃項目1項,是1項國家重點研發計劃項目課題執行負責人,主持與企業、科研院所合作項目20余項。
報告摘選
- 脈沖功率技術廣泛應用于各個領域。在軍用領域,主要有核爆模擬、電熱軌道武器、電磁炮、衛星推進等應用;在民用領域,主要有廢氣廢水處理、材料改性、火電廠脫硫脫硝、微生物殺菌等應用。理想的脈沖功率開關希望兼顧高斷態重復峰值電壓、高峰值電流、高di/dt耐量。
- RSD、DSRD、FID等特種器件系列,覆蓋了不同功率范圍、時間尺度的脈沖功率應用,前景廣闊。
- 碳化硅脈沖高壓雙極型器件與硅基器件相比優勢明確,實際應用中減少材料缺陷、提升少子壽命仍是重大挑戰。
- 壓接IGBT、SiC IGBT等電力電子器件在各自優勢參數范圍也可在脈沖功率領域應用,要發揮出最優性能需定制化設計。