何東欣,1990年生,山東大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師,入選山東大學(xué)青年學(xué)者“未來計(jì)劃”,擔(dān)任全球能源互聯(lián)網(wǎng)大學(xué)聯(lián)盟學(xué)校聯(lián)絡(luò)人。主要從事電氣絕緣電荷特性與失效機(jī)理研究。主持國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目和山東省重大創(chuàng)新工程課題等項(xiàng)目,參與國家自然科學(xué)基金智能電網(wǎng)聯(lián)合基金、國家電網(wǎng)公司總部項(xiàng)目等多項(xiàng),發(fā)表SCI、EI檢索高質(zhì)量期刊論文20余篇。榮獲中國電工技術(shù)學(xué)會青工委突出貢獻(xiàn)委員、優(yōu)秀組織獎(jiǎng)和山東電機(jī)工程學(xué)會“五四”青年科技工作者等榮譽(yù)。
李清泉,高電壓與絕緣技術(shù)研究所教授、博士生導(dǎo)師,山東省特高壓輸變電技術(shù)與裝備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,山東大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長。主要研究方向?yàn)楦唠妷航^緣診斷技術(shù)、電力設(shè)備狀態(tài)在線監(jiān)測、高壓測試技術(shù)和常壓等離子體及應(yīng)用。承擔(dān)國家自然科學(xué)基金智能電網(wǎng)聯(lián)合基金項(xiàng)目、面上項(xiàng)目、山東省重點(diǎn)基金、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家電網(wǎng)、南方電網(wǎng)科技項(xiàng)目等50余項(xiàng),發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文80余篇。參與學(xué)術(shù)著作《高壓組合電器》和《電力系統(tǒng)中的電磁兼容》的編寫和翻譯。獲山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、二等獎(jiǎng)2項(xiàng),中國電力科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
本文作者來自山東大學(xué)電氣工程學(xué)院特高壓輸變電技術(shù)與裝備學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì),團(tuán)隊(duì)依托山東省特高壓輸變電技術(shù)與裝備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、山東大學(xué)電氣工程學(xué)院高電壓與絕緣技術(shù)研究所,主要的研究領(lǐng)域包括高電壓絕緣診斷技術(shù)、電力設(shè)備狀態(tài)在線監(jiān)測、高壓測試技術(shù)、高壓復(fù)合絕緣放電特性、劣化機(jī)理及絕緣評估等。近年來,該團(tuán)隊(duì)承擔(dān)了多項(xiàng)國家級、省部級以及電網(wǎng)企業(yè)的研究項(xiàng)目。
隨著特高壓直流輸電的發(fā)展和新能源發(fā)電并網(wǎng)規(guī)模的擴(kuò)大,高壓電力電子器件和裝備在電力系統(tǒng)中占據(jù)越來越重要的地位。電力電子裝備長期處于高頻、陡脈沖電壓的運(yùn)行工況下,其絕緣系統(tǒng)易發(fā)生早期失效,威脅電力系統(tǒng)運(yùn)行的安全性和可靠性。其中,空間電荷動態(tài)行為是脈沖電場下電氣絕緣早期失效的重要誘因。因此,為優(yōu)化絕緣材料設(shè)計(jì)方案、提升電力電子裝備可靠性,探究高頻脈沖電壓下電荷行為特性及絕緣劣化機(jī)理具有重要意義。
(1)電力電子裝備承受脈沖電壓工況
開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷引起電壓突變,會在器件本身、電力電子裝備以及相連接的設(shè)備上產(chǎn)生高頻、陡上升沿的脈沖電壓及電流。同時(shí),脈寬調(diào)制技術(shù)(Pulse Width Modulation, PWM)的廣泛應(yīng)用,使得現(xiàn)代電力電子裝備承受具有快速上升沿和下降沿、較高幅值和重復(fù)頻率的方波脈沖電壓。如圖1所示,高頻變壓器、換流變壓器閥側(cè)套管、高壓電力電子器件均承受高頻脈沖電壓作用。
圖1 常見電力電子裝備及器件承受電壓波形
(2)脈沖電壓下電氣絕緣特性與電荷行為關(guān)系
研究表明,相較于同等幅值的直流和交流電壓,脈沖電壓下電氣絕緣擊穿壽命嚴(yán)重縮短、電樹枝起始電壓大幅下降(如圖2所示),氣固絕緣界面的表面局部放電更加劇烈、閃絡(luò)電壓降低。通過對脈沖電壓下電樹枝特性、表面放電和閃絡(luò)特性研究現(xiàn)狀的總結(jié),厘清電荷行為與電氣絕緣特性的關(guān)聯(lián)關(guān)系。
圖2 正弦和脈沖方波電壓下絕緣特性對比
①電樹枝起始、擊穿等特性主要取決于空間電荷行為。脈沖電場力加速電荷獲得動能,撞擊材料分子鏈,引發(fā)電離和產(chǎn)生電樹枝;除此之外,在脈沖電壓的激勵(lì)作用下會引發(fā)被捕獲的電荷脫陷,如果脫陷時(shí)間小于材料的松弛時(shí)間,所釋放能量將導(dǎo)致化學(xué)鍵破壞而引發(fā)電樹枝。
②表面電荷的積聚增加了初始電子產(chǎn)生的概率,促進(jìn)了電子崩的形成與發(fā)展,有助于形成沿面放電及閃絡(luò)。此外,快速變化電場產(chǎn)生較大磁場,增大電荷所受洛倫茲力,使電荷獲得更高能量,高能電子的碰撞加劇了對絕緣微觀結(jié)構(gòu)的破壞,導(dǎo)致電樹枝起始和沿面閃絡(luò)發(fā)生。
(3)脈沖電壓下電荷特性研究現(xiàn)狀
不同脈沖參數(shù)對材料內(nèi)部空間電荷特性的影響尚未形成統(tǒng)一合理的理論解釋,還需通過研究得到較為普遍適用的總體規(guī)律以及理清不同絕緣材料間的差異,進(jìn)而為絕緣材料的改進(jìn)提供理論指導(dǎo)。
大多數(shù)研究僅關(guān)注了方波電壓高電平和低電平電壓恒定階段的電荷穩(wěn)態(tài)特性,缺乏脈沖邊沿時(shí)刻電荷的動態(tài)行為探究。相較于脈沖電壓下電荷穩(wěn)態(tài)特性,脈沖邊沿處電荷的動態(tài)行為對絕緣的損傷更為嚴(yán)重。然而,專門針對上升和下降沿處空間電荷動態(tài)特性的研究較為缺乏,亟需探究相關(guān)特性并闡釋其內(nèi)在機(jī)理。
隨著脈沖頻率增加、上升時(shí)間縮短、占空比增加,表面電荷積累增大。脈沖電壓作用導(dǎo)致閃絡(luò)后表面電荷極性發(fā)生改變,對表面電場的畸變作用更加嚴(yán)重,加速絕緣表面老化。但是,表面電荷較為成熟的測量方法多為離線方式,可探索能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測表面電荷的變化的新測試方法。
(4)脈沖邊沿時(shí)刻電荷動態(tài)特性
由于電荷測試技術(shù)重復(fù)頻率的限制,難以實(shí)現(xiàn)微秒級別甚至納秒級別的電荷快速重復(fù)測試,尚無法直接獲得在脈沖邊沿時(shí)刻的電荷動態(tài)行為,制約了脈沖電壓下絕緣特性研究的發(fā)展。
作者所在課題組提出通過脈沖邊沿前后電荷分布對比的思路,間接推導(dǎo)脈沖時(shí)刻的電荷行為,研制脈沖觸發(fā)控制電路,使電荷測試時(shí)間與上升沿和下降沿精確匹配,通過上升、下降沿前后電荷分布數(shù)據(jù)對比獲知電荷運(yùn)動行為機(jī)制。
初步發(fā)現(xiàn)脈沖邊沿時(shí)刻空間電荷變化現(xiàn)象,基于電荷受力分析理論對該現(xiàn)象進(jìn)行了解釋。將將固體介質(zhì)內(nèi)空間電荷受力簡化分為電場力和“材料應(yīng)力”兩類,從電荷受力平衡被打破的角度,對脈沖邊沿時(shí)刻的電荷運(yùn)動行為進(jìn)行了分析與討論。
①脈沖電壓下電力電子裝備絕緣易于發(fā)生早期失效,其中電荷特性及動態(tài)行為是重要誘因。脈沖電壓參數(shù)的變化改變了空間電荷及表面電荷的運(yùn)動和積聚特性,進(jìn)而對絕緣電氣性能及壽命產(chǎn)生影響。
②脈沖邊沿激發(fā)電荷狀態(tài)突變,通過脫陷釋放能量、高能電子撞擊和洛倫茲力等作用,加劇破壞絕緣結(jié)構(gòu),因此脈沖時(shí)刻電荷的動態(tài)變化行為研究尤為重要。脈沖電壓上升、下降沿處電場力突變所導(dǎo)致的電荷所受合力發(fā)生變化是引發(fā)電荷發(fā)生入陷、脫陷、遷移等行為的重要原因。
③隨著以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展,開關(guān)器件的進(jìn)步將產(chǎn)生更高頻率、更陡斜率的脈沖電壓,未來應(yīng)探索適應(yīng)高頻、陡脈沖電壓下電荷測試技術(shù),從實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、物理規(guī)律和數(shù)值模擬等各方面深入探索,從根本上揭示脈沖電壓下絕緣早期失效機(jī)理。
何東欣,張濤,陳曉光,鞏文潔,李清泉.脈沖電壓下電力電子裝備絕緣電荷特性研究綜述[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào), 2021, 36(22): 4795-4808. He Dongxin, Zhang tao, Chen Xiaoguang, Gong Wenjie, Li Qingquan. Research Overview on Charge Characteristics of Power Electronic Equipment Insulation Under the Pulse Voltage[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2021, 36(22): 4795-4808.