專家簡介

梅云輝，天津工業大學科學技術研究院副院長，電氣工程學院教授，國家優秀青年科學基金獲得者，天津市杰出青年基金獲得者。曾獲霍英東教育基金高等院校青年科技獎、中國電源學會技術發明一等獎、中國電工技術學會技術發明一等獎。主要研究方向為功率半導體封裝、材料與可靠性研究等。

報告摘選

1）基于鋁銅復合箔的加工性能以及熱-機械性能，推薦采用10μm-AI/40μm-Cu復合箔。仿真結果顯示，復合箔厚度增加25μm，連接層剪切應變增大15.4%；復合箔整體厚度不變，鋁層比例由20%增加為40%，連接層剪切應變僅下降1.5%。綜合考慮加工性能、機械性能，10μm-AI/40μm-Cu為最佳尺寸結構。

2）鋁/銅復合箔能夠降低鍵合點處的熱力，使其不再是鋁絲鍵合功率器件封裝可靠性的薄弱位置。仿真結果顯示，添加鋁銅復合箔，鋁絲承受的最大剪切應變降低超過60%；功率循環老化失效分析顯示，鋁銅復合箔功率器件失效模式為復合箔與芯片之間連接層疲勞失效。

3）鋁絲鍵合功率器件可靠性提升4-5倍，且隨著復合箔厚度增加，提升效果減弱。功率循環測試結果顯示，功率循環采用10μm-AI/40μm-Cu復合箔，硅二極管和碳化硅二極管功率循環壽命分別提高至鋁絲直接鍵合的4.87倍和5.67倍；復合箔厚度增加25μm，老化壽命降低33.3%。

4）結合Suhir多層結構熱應力理論和經典壽命預測模型，建立了適用于含有緩沖層的功率模塊的壽命預測模型，與Si FRD器件封裝老化壽命測試結果吻合良好。